三星宣布下一代HBM3E高带宽内存

　　在加州圣何塞举办的年度存储技术大会上，三星披露了下一代HBM3E的情况，相比现有HBM3在容量、频率、带宽方面都有了巨大的提升。

　　三星HBM3E内存采用基于EUV极紫外光刻工艺的第四代10nm级工艺制造，确切地说是14nm。

　　单Die容量可达24Gb，8颗堆叠就是24GB，12颗堆叠就是36GB，相比HBM3增加了一半。

　　等效频率可达9.8GHz，同样提升一半，领先SK海力士的9GHz、美光的9.2GHz，单颗芯片的带宽可以做到1-1.1225TB/s。

　　对于NVIDIA H100这样的计算卡，六颗HBM3E可以组成单卡216GB的海量内存，总带宽高达7.35TB/s。

　　能效方面，三星宣称可以提升10%，但显然会被25%的频率提升所抵消掉。

　　考虑到三星刚刚量产HBM3，新一代的HBM3E将在明年的某个时候量产，而出货可能要到明年底了。

　　正因为如此，NVIDIA下一代计算卡B100将独家使用SK海力士的HBM3E，三星至少第一批赶不上了。

编辑：齐少恒