安世中国12英寸车规MOSFET实现技术与成本双升级

　　在汽车功率半导体领域，行业普遍关注耐压、电流等基础参数，而导通内阻是影响芯片发热、工作效率与车辆续航表现的关键核心指标。更低的导通内阻，能够在同等电流工况下减少芯片发热，提升电能转化效率，优化车辆续航体验。

　　依托12英寸先进制程平台，安世中国持续优化车规MOSFET核心性能，实现多项关键参数迭代升级。优异的产品性能，依托于安世中国落地的12英寸功率半导体量产线。作为中国大陆实现12英寸功率半导体IDM量产的企业，安世中国推出的12英寸SGT T2X车规MOSFET，完善了国内12英寸车规高压MOSFET产品布局。目前品牌已推出19款40-100V车规MOSFET产品，全系产品失效率稳定在PPB级别，且顺利通过2000小时温度循环板级可靠性验证，充分适配严苛的车载应用场景。

　　对于整车厂商而言，该系列产品兼具性能价值与成本优势。12英寸晶圆单片有效芯片产出可提升2.2-2.4倍，同时，依托生产良率提升、规模化量产与供应链本土化布局，产品综合成本优势持续放大。

　　供应链本土化升级，也大幅优化了交付效率。产品交付周期从海外采购的12-16周，缩短至国内4-6周，致力于为车企提供了更稳定、高效、高性价比的芯片配套方案。

　　凭借成熟的12英寸量产能力、优异的产品可靠性与突出的成本优势，安世中国持续完善车规功率半导体产品体系，以扎实的量产技术、可靠的产品品质，赋能汽车产业智能化、电动化升级，致力于为车载功率半导体领域提供优质的国产化解决方案。

编辑：张芬