三星将推出第10代V-NAND闪存

　　12月5日消息，据媒体报道，三星即将在国际固态电路会议(ISSCC)上展示其最新的第10代超过400层3D NAND Flash，接口速度可达5.6 GT/s。

　　三星的这一新一代V-NAND保持了TLC(三级单元，或每个单元3位)架构，每个芯片的容量为1Tb(128GB)。

　　三星声称，其新的超400层3D TLC NAND Flash的存储密度达到了28 Gb/mm²，略低于其1Tb 3D QLC V-NAND的28.5 Gb/mm²，后者是目前世界上存储密度最高的NAND Flash。

　　此外，三星第10代V-NAND的接口速度达到5.6 GT/s，明显快于长江存储的3.6 GT/s。

　　在5.6 GT/s的速度下，相当于约700 MB/s的数据传输速率，意味着其中10个设备可以使PCIe4.0 x4接口饱和，而20个足以使超快的PCIe5.0x4接口饱和。

　　三星计划在ISSCC 10上推出第10代V-NAND，因此很可能在明年开始批量生产这种NAND Flash，只是尚不清楚新何时会进入三星自己的SSD。

编辑：齐少恒