消息称三星电子正积极开发LLW DRAM内存

　　原标题：瞄准苹果下代 XR 设备订单，消息称三星电子正积极开发 LLW DRAM 内存

　　IT之家 7 月 18 日消息，韩媒 ZDNet Korea 报道称，三星电子正积极开发 LLW DRAM 内存，为苹果 Vision Pro 后的下一代头显订单做好准备。

　　LLW DRAM 全称 Low Latency Wide I/O DRAM，是一种高性能特殊内存，拥有数量众多的 I/O 引脚，具备高带宽低延迟低功耗的优势。

　　三星电子宣称，其 LLW DRAM 内存产品可实现 128GB/s 的带宽，同时能耗仅有 1.2pJ/bit。

　　▲ 三星半导体展示的 LLW DRAM 内存结构概念

　　据IT之家此前报道，与苹果 Vision Pro 头显上 R1 芯片配套的 LLW DRAM 内存由 SK 海力士独家供应，可提供 256GB/s 带宽。

　　该内存单颗容量为 1GB，I/O 引脚数量是传统内存的八倍。如果以目前 LPDDR5 内存的 64bit 作为基础，那 SK 海力士提供的 LLW DRAM 内存位宽可达 512bit。

　　▲ SK 海力士 LLW DRAM 内存结构。图源 Yole

　　韩媒报道提到，苹果曾于 2022 年同三星电子就 LLW DRAM 供应进行过洽谈，但最终 SK 海力士得到了这份订单。

　　三星电子正积极开发 LLW DRAM 内存技术，目前正处于小规模生产阶段，目标未来从 SK 海力士的手中夺取这一细分领域的市场份额。

编辑：丁可冉