Intel 7nm工艺足以比肩3nm：踩爆牙膏

　　这几天，Intel公布了雄心勃勃的IDM 2.0战略，将投资200亿美元建设两座半导体晶圆厂，7nm工艺要在2023年量产，目标是要重回半导体领先地位。

　　在14nm节点之前，特别是22nm首发3D晶体管FinFET工艺之后，Intel在2014年之前可以说是全球最先进的半导体工厂，官方PPT曾经表示他们领先友商至少3.5年，考虑到当时三星、台积电的情况，Intel此言不虚。

　　当然，这几年情况变了，14nm工艺虽然性能很好，但是从2014到现在都用了7年了，台积电三星这几年中可是从28nm一路升级到了5nm工艺，明年都要量产3nm工艺了。

　　Intel今年的主力会是10nm，下一个节点7nm原定是2021年，不过跳票到了2023年，首款CPU产品将是Meteor Lake，今年Q2季度会Tape in，也就是完成设计工作，即将进入流片阶段。

　　那Intel的7nm工艺到底如何?现在还没明确消息，不过业界大站Anandtech的主编Ian Cutress公布了一些数据，对比了不同工艺的晶体管密度，如下所示：

　　台积电的5nm工艺密度是1.71亿晶体管/mm2，3nm工艺可达2.9亿晶体管/mm2，而Intel的10nm工艺是1.01亿晶体管/mm2，7nm节点可达2-2.5亿晶体管/mm2。

　　对比的话，Intel的7nm工艺按最高水平来看，非常接近台积电的3nm工艺，哪怕在2023年问世，有这个水平的话也不比台积电差多少，不像现在这样14nm、10nm工艺被7nm、5nm遥遥领先。

　　当然，以上都是极限水平，实际表现还要看处理器的具体情况，只是现在这个数据足以说明Intel的7nm工艺不容小觑，耐心等待两年，或许Intel真的王者归来了。

编辑：齐少恒