台积电2nm工艺重大突破 2023年风险试产良率或达90%

　　一直以来台积电在半导体领域都是处于全球领先水平，其5nm工艺制程的芯片已经大规模量产。现在据台媒报道，台积电2nm工艺取得重大突破。

　　据报道，台积电2nm工艺取得重大突破，研发进度超前，业界看好其2023年下半年风险试产良率就可以达到90%。

　　供应链透露，有别于3nm和5nm采用鳍式场效应晶体管(FinFET)，台积电的2nm工艺改用全新的多桥通道场效电晶体(MBCFET)架构。

　　据了解，台积电去年成立了2nm专案研发团队，寻找可行路径进行开发。现在在2nm工艺上有所突破也将在未来代工方面带来优势。

　　现在台积电5nm工艺已经获得了苹果的订单，其它产能也被高通、ADM等厂商占用，如果2nm工艺量产，那么势必比竞争对手快一大截，将会获得更多的订单。

编辑：齐少恒