Top
首页 > 数码 > 手机通讯 > 手机行情 > 正文

三星宣布 开始批量生产第五代V-NAND闪存

手机行情 IT之家 2018-07-11 09:01:02
[摘要]日前,三星电子正式宣布,已经开始大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片,其关键特性是采用“Toggle DDR 4.0”NAND接口。

  与前一代产品达到1.4Gbps的峰值相比,后者使存储和RAM之间的传输速度提高了40%。但随着更好的性能,电压从1.8V降至1.2V。

  新的V-NAND还具有最快的数据写入速度,延迟仅为500微秒,这是在写上一代的速度提高了30%,而响应时间读信号已显着降低到50μS(微秒)。

  第五代V-NAND芯片的构建与之前的相似,它配备了90层的3D TLC CTF闪存存储单元。它们堆叠成金字塔状结构,中间有微小孔。这些孔用作通道,尺度仅有几百微米宽,包含超过850亿个CTF单元,每个单元存储多达3比特数据,单Die容量达256Gb(32GB)。

  三星将迅速扩大其第五代V-NAND生产以满足市场的广泛需求,将应用在如超级计算机、企业服务器和最新的移动应用等高级智能手机方面。

三星宣布 开始批量生产第五代V-NAND闪存

编辑:齐少恒

相关热词搜索: 三星宣布 第五代V-NAND闪存

上一篇:vivo NEX走向全球:7月底在俄罗斯、印度市场发布

表达看法

本地 新闻 娱乐 财经 数码 教育